H7N1002LS-E
H7N1002LS-E
Part Number:
H7N1002LS-E
Výrobce:
Renesas Electronics America
Popis:
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16301 Pieces
Datový list:
H7N1002LS-E.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro H7N1002LS-E, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu H7N1002LS-E e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit H7N1002LS-E s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:-
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:4-LDPAK
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 37.5A, 10V
Ztráta energie (Max):100W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:SC-83
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:H7N1002LS-E
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:9700pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V LDPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:75A (Ta)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...