Koupit IGP30N65F5XKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IGP30N65F5XKSA1
- Part Number:
- IGP30N65F5XKSA1
- Popis:
- IGBT 650V TO220-3
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 19857 Pieces
- Datový list:
- IGP30N65F5XKSA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IGP30N65F5XKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IGP30N65F5XKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 30A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 15A, 23 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 19ns/170ns |
| přepínání energie: | 280µJ (on), 70µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO-220-3 |
| Série: | TrenchStop™ |
| Power - Max: | 188W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | SP001133080 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IGP30N65F5XKSA1 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench |
| Gate Charge: | 65nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO-220-3 |
| Popis: | IGBT 650V TO220-3 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 90A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 55A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IGP30N65F5XKSA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
STGP30NC60K | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 185W TO220AB | Dotaz |
 |
STGW60H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 375W TO247 | Dotaz |
|
STGW35NB60SD | STMicroelectronics | IGBT 600V 70A 200W TO247 | Dotaz |
 |
FGA30N60LSDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 480W TO3PN | Dotaz |
 |
IRGS14C40L | Infineon Technologies | IGBT 430V 20A 125W D2PAK | Dotaz |
 |
TIG074E8-TL-H | ON Semiconductor | IGBT 400V 150A 8ECH | Dotaz |
 |
IGP30N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO220-3 | Dotaz |
|
IGP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V TO220-3 | Dotaz |
|
FGA60N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 120A 298W TO3P | Dotaz |
 |
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
 |
IRGP4069PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 76A 268W TO247AC | Dotaz |
 |
RGTH50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 50A 174W TO-247N | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog