IPB052N04NGATMA1
IPB052N04NGATMA1
Part Number:
IPB052N04NGATMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18281 Pieces
Datový list:
IPB052N04NGATMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPB052N04NGATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPB052N04NGATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPB052N04NGATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 33µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO263-2
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:5.2 mOhm @ 70A, 10V
Ztráta energie (Max):79W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:IPB052N04N G
IPB052N04N G-ND
IPB052N04N GTR-ND
SP000391505
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IPB052N04NGATMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:3300pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Drain na zdroj napětí (Vdss):40V
Popis:MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...