IPI024N06N3GXKSA1
IPI024N06N3GXKSA1
Part Number:
IPI024N06N3GXKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 60V 120A
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19963 Pieces
Datový list:
IPI024N06N3GXKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPI024N06N3GXKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPI024N06N3GXKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPI024N06N3GXKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 196µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO262-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
Ztráta energie (Max):250W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ostatní jména:SP000680644
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:14 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPI024N06N3GXKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:275nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO262-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 120A
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...