IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
Part Number:
IRFS9N60APBF
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18914 Pieces
Datový list:
IRFS9N60APBF.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRFS9N60APBF, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRFS9N60APBF e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IRFS9N60APBF s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:D2PAK
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 5.5A, 10V
Ztráta energie (Max):170W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:*IRFS9N60APBF
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:11 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IRFS9N60APBF
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.2A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře