IXTT100N25P
IXTT100N25P
Part Number:
IXTT100N25P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14073 Pieces
Datový list:
IXTT100N25P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXTT100N25P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXTT100N25P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXTT100N25P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-268
Série:PolarHT™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):600W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXTT100N25P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:6300pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 250V 100A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
Drain na zdroj napětí (Vdss):250V
Popis:MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...