Koupit IXTU01N100D s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 25µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-251 |
Série: | - |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 80 Ohm @ 50mA, 0V |
Ztráta energie (Max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IXTU01N100D |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | Depletion Mode |
Rozšířený popis: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1000V (1kV) |
Popis: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |