NRVHPD660T4G
NRVHPD660T4G
Part Number:
NRVHPD660T4G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13444 Pieces
Datový list:
NRVHPD660T4G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro NRVHPD660T4G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NRVHPD660T4G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit NRVHPD660T4G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Napětí - Forward (VF) (Max) @-li:3V @ 6A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Dodavatel zařízení Package:DPAK
Rychlost:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Automotive, AEC-Q101
Reverse Time Recovery (TRR):50ns
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Provozní teplota - spojení:-65°C ~ 175°C
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:4 Weeks
Výrobní číslo výrobce:NRVHPD660T4G
Rozšířený popis:Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
Diode Type:Standard
Popis:DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Proud - zpìtný únikový @ Vr:30µA @ 600V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io):6A
Kapacitní @ Vr, F:-
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...