RGTH60TS65GC11
RGTH60TS65GC11
Part Number:
RGTH60TS65GC11
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19986 Pieces
Datový list:
RGTH60TS65GC11.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro RGTH60TS65GC11, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RGTH60TS65GC11 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit RGTH60TS65GC11 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max):650V
VCE (o) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 30A
Zkušební podmínky:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C:27ns/105ns
přepínání energie:-
Dodavatel zařízení Package:TO-247N
Série:-
Power - Max:197W
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Provozní teplota:-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:15 Weeks
Výrobní číslo výrobce:RGTH60TS65GC11
Typ vstupu:Standard
Typ IGBT:Trench Field Stop
Gate Charge:58nC
Rozšířený popis:IGBT Trench Field Stop 650V 58A 197W Through Hole TO-247N
Popis:IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Aktuální - sběratel Pulsní (ICM):120A
Proud - Collector (Ic) (Max):58A
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...