SI4886DY-T1-E3
Part Number:
SI4886DY-T1-E3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19203 Pieces
Datový list:
SI4886DY-T1-E3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI4886DY-T1-E3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI4886DY-T1-E3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI4886DY-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:800mV @ 250µA (Min)
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 13A, 10V
Ztráta energie (Max):1.56W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI4886DY-T1-E3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 9.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...