SI7107DN-T1-E3
SI7107DN-T1-E3
Part Number:
SI7107DN-T1-E3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15137 Pieces
Datový list:
SI7107DN-T1-E3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI7107DN-T1-E3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI7107DN-T1-E3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI7107DN-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 450µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Ztráta energie (Max):1.5W (Ta)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:PowerPAK® 1212-8
Ostatní jména:SI7107DN-T1-E3DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI7107DN-T1-E3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Popis:MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.8A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře