SIA408DJ-T1-GE3
SIA408DJ-T1-GE3
Part Number:
SIA408DJ-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17213 Pieces
Datový list:
SIA408DJ-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SIA408DJ-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SIA408DJ-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SIA408DJ-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SC-70-6 Single
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 5.3A, 10V
Ztráta energie (Max):3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SC-70-6
Ostatní jména:SIA408DJ-T1-GE3TR
SIA408DJT1GE3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:24 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SIA408DJ-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 4.5A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):2.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...