SQM40N10-30_GE3
SQM40N10-30_GE3
Part Number:
SQM40N10-30_GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18981 Pieces
Datový list:
SQM40N10-30_GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SQM40N10-30_GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SQM40N10-30_GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SQM40N10-30_GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-263 (D2Pak)
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 15A, 10V
Ztráta energie (Max):107W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SQM40N10-30_GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:3345pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...