STP150N10F7
STP150N10F7
Part Number:
STP150N10F7
Výrobce:
ST
Popis:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14312 Pieces
Datový list:
STP150N10F7.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro STP150N10F7, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu STP150N10F7 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit STP150N10F7 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220
Série:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS On (Max) @ Id, Vgs:4.2 mOhm @ 55A, 10V
Ztráta energie (Max):250W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3
Ostatní jména:497-14570-5
STP150N10F7-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:22 Weeks
Výrobní číslo výrobce:STP150N10F7
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:8115pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:117nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...