VS-GT50TP60N
Part Number:
VS-GT50TP60N
Výrobce:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Popis:
IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17793 Pieces
Datový list:
VS-GT50TP60N.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro VS-GT50TP60N, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu VS-GT50TP60N e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit VS-GT50TP60N s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max):600V
VCE (o) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Dodavatel zařízení Package:INT-A-PAK
Série:-
Power - Max:208W
Paket / krabice:INT-A-PAK (3 + 4)
Ostatní jména:VSGT50TP60N
Provozní teplota:175°C (TJ)
NTC termistor:No
Typ montáže:Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:17 Weeks
Výrobní číslo výrobce:VS-GT50TP60N
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce:3.03nF @ 30V
Vstup:Standard
Typ IGBT:Trench
Rozšířený popis:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 85A 208W Chassis Mount INT-A-PAK
Popis:IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Aktuální - sběratel Cutoff (Max):1mA
Proud - Collector (Ic) (Max):85A
Konfigurace:Half Bridge
Email:sales@bychips.com

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře
Loading...